Um Modelo de Caracterização da Histerese em Transistores de Efeito de Campo de MoS2 2D Dependente de Gás
A presente tese de doutorado propõe um modelo inovador, denominado modelo circuital EKV, desenvolvido especificamente para caracterizar o fenômeno da histerese em transistores de efeito de campo (MOSFET) baseados no semicondutor emergente dissulfeto de molibdênio (MoS2). O modelo proposto é capaz de prever com precisão o comportamento desses dispositivos, oferecendo uma ferramenta valiosa para seu desenvolvimento e otimização em aplicações envolvendo circuitos eletrônicos.
A histerese constitui um fenômeno amplamente presente na ciência e engenharia, cujo entendimento é crucial para o avanço tecnológico em diversas aplicações. Embora a histerese apresente efeitos adversos, como a redução da mobilidade dos portadores e, consequentemente, do desempenho dos transistores, ela pode ser estrategicamente explorada para aplicações positivas, incluindo memórias não voláteis e dispositivos digitais.
Através de uma revisão detalhada da literatura científica atual, constatou-se a ausência de modelos capazes de descrever adequadamente a histerese em transistores de MoS2. Portanto, o modelo circuital EKV apresentado nesta tese é pioneiro, contribuindo significativamente para o entendimento fundamental e prático da histerese em dispositivos emergentes baseados em dissulfeto de molibdênio.