Banca de QUALIFICAÇÃO: AGÊU ALVES DOS SANTOS

Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : AGÊU ALVES DOS SANTOS
DATA : 13/03/2024
HORA: 10:00
LOCAL: Sala 406 do Bloco B do Campus de Santo André da Universidade Federal do ABC
TÍTULO:

Um novo modelo de caracterização de histerese para transistores de efeito de campo de MoS₂ dependente de gás

PÁGINAS: 70
RESUMO:

Nesta investigação foi desenvolvido um modelo matemático novo e completamente original, o qual é capaz de caracterizar a histerese em transistores MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field effect transistor) de Dissulfeto de molibdênio (MoS₂), permitindo predizer deste modo, o comportamento futuro do dispositivo.

Sobre a histerese, a mesma é um fenômeno presente em diversos campos da ciência e da engenharia. O estudo deste fenômeno desempenha um importante papel na pesquisa e no desenvolvimento tecnológico, por meio da compreensão da fenomenologia de determinados dispositivos. A faceta negativa é que a histerese pode reduzir a mobilidade dos portadores, prejudicando significativamente o desempenho do transistor. Pelo lado positivo a histerese pode ser utilizada de maneira conveniente na construção, por exemplo de memórias. Também, por meio de uma revisão bibliográfica, foi possível verificar que até o presente momento não existe na literatura científica nenhum modelo que caracterize a histerese em transistores FET (Field effect transistor) de Dissulfeto de molibdênio (MoS₂). Assim, esta nova modelagem é pioneira na descrição do fenômeno histerético em transistores FET (Field effect transistor) de (MoS₂).

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - Interno ao Programa - 1205456 - LUIZ ALBERTO LUZ DE ALMEIDA
Membro Titular - Examinador(a) Interno ao Programa - 1762419 - CARLOS EDUARDO CAPOVILLA
Membro Titular - Examinador(a) Externo à Instituição - JOÃO ANTONIO MARTINO - USP
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 1761107 - RICARDO SUYAMA