Banca de DEFESA: GABRIEL HENRIQUE INÁCIO DE OLIVEIRA

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : GABRIEL HENRIQUE INÁCIO DE OLIVEIRA
DATA : 26/09/2023
HORA: 13:30
LOCAL: presencial
TÍTULO:

OBTENÇÃO DE FILMES TRANSPARENTES CONDUTORES DE ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM ALUMÍNIO (AZO) PARA CONTATO ELÉTRICO EM CÉLULAS SOLARES.

PÁGINAS: 104
RESUMO:

O estudo apresentado neste trabalho tem o objetivo de obter filmes transparentes de óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) para aplicação de um filme transparente condutor (transparente conductive oxide – TCO) utilizando um método de dopagem de baixo custo para contatos elétricos de uma célula solar. A técnica de obtenção de filmes finos utilizada neste trabalho foi r.f. Magnetron Sputtering. Para isso foi utilizado um alvo de zinco e a dopagem de alumínio foi realizada utilizando fios de alumínio de diferentes comprimentos sobre o alvo de zinco, permitindo controlar a composição do filme depositado. O filme de AZO foi obtido a partir da oxidação dos filmes de zinco dopado com Al em diferentes temperaturas e tempos. Esta técnica tem a vantagem de ser compatível com a indústria microeletrônica, barata e versátil, pois permite controlar a composição sem preparar um alvo com uma composição fixa. Neste trabalho foi relacionado propriedades estruturais e morfológicas com resistividade elétrica e transmitância de filmes transparentes de ZnO dopado com Al (AZO). Além disso, foi estudada a influência de parâmetros de deposição como potência r.f. e distância do alvo para o porta-amostra na qualidade dos filmes finos.  Os filmes depositados de AZO foram caracterizados pelas seguintes técnicas: perfilometria, microscopia eletrônica de varredura (MEV) e com o uso de espectroscopia por Dispersão de elétrons (EDS), espectroscopia UV-Vis, difração de Raios X (DRX), espectroscopia de fotoelétrons de Raios X (XPS) e a técnica de quatro pontas. Os resultados preliminares demonstraram uma correlação dos parâmetros de deposição como a potência de r.f. e a distância do alvo para porta-amostras, apresentando os melhores resultados de deposição para a potência de 300W com uma distância de 10 cm. A potência r.f. utilizada nas deposições por sputtering influenciou na cristalinidade das amostras de AZO, sem afetar as ligações químicas. Foi observado que a concentração de Al variou de acordo com o comprimento do fio de Al usado na deposição, mostrando a eficiência da dopagem com esta técnica. Também foi observado que o gap óptico aumentou com o aumento da concentração de Al. O tamanho de cristalito e a concentração de defeitos nas ligações do tipo ZnO tiveram forte influência no valor da resistividade. O valor da resistividade diminuiu duas ordens de grandeza com a dopagem e os menores valores de resistividade foram alcançados para uma concentração de Al em torno de 1%. Todas as amostras apresentaram transmitância acima de 80%, compatível com aplicações TCO.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - Interno ao Programa - 1768304 - DENISE CRIADO PEREIRA DE SOUZA
Membro Titular - Examinador(a) Interno ao Programa - 1545447 - MARCOS ROBERTO DA ROCHA GESUALDI
Membro Titular - Examinador(a) Externo ao Programa - 1838179 - KATIA FRANKLIN ALBERTIN TORRES
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 1762419 - CARLOS EDUARDO CAPOVILLA
Membro Suplente - Examinador(a) Externo ao Programa - 1671297 - MICHEL OLIVEIRA DA SILVA DANTAS