ESTUDO DA DEPOSIÇÃO DE FILMES DE Sb2S3 POR EVAPORAÇÃO TÉRMICA RÁPIDA
Impulsionados pela presente explosão populacional e tecnológica, a demanda energética tende a somente crescer, necessitando a obtenção desta por vias mais limpas e eficientes. Atualmente, os dispositivos fotovoltaicos de calcogenetos são amplamente estudados e o sulfeto de antimônio um promissor candidato devido suas propriedades. Investigou-se neste trabalho a deposição deste material por evaporação térmica rápida em diferentes substratos e variando algumas condições de deposição. Na primeira condição, com a temperatura da fonte a 450°C e variando a temperatura do substrato, temperaturas mais baixas resultaram em uma deposição mais preferencialmente orientada ao longo do plano (120), principalmente a 20°C. Variando o tempo de deposição, não foi possível identificar uma relação deste com a espessura do filme formado. Modificando a temperatura da fonte para 500°C, ainda se verificaram deposições preferencialmente orientadas ao longo do plano (120), exceto a 420°C. No entanto, a deposição a 240°C resultou em um pico referente ao plano (211) menor. Por fim, avaliando as deposições em cada substrato, verificou-se que em silício apresenta crescimento similar ao em modo ilha (Volmer-Weber), necessitando a ativação do substrato antes da deposição.