Efeitos da vacância no NaNbO3 ortorrômbico em formas de sólido prístino (bulk) e filme fino: um estudo de primeiros princípios
A conversão de energia luminosa em química através da fotocatálise oferece uma rota limpa para a produção de gás hidrogênio. Para isso, o fotocatalisador deve ter bandas eletrônicas alinhadas com os potenciais de quebra da molécula de água. Esse alinhamento pode ser manipulado inserindo defeitos na rede cristalina. Investigamos as consequências da introdução de vacâncias nas estruturas cristalina e eletrônica na fase ortorrômbica do NaNbO3 usando simulações de primeiros princípios em modelos de sólido prístino (bulk) e filme fino. Em pequenas concentrações no bulk (0,625% át.), tanto a vacância neutra de Na quanto de O provocam deformações nas suas vizinhanças, inserindo estados de defeito Nb 5d dentro do bandgap. Porém, a vacância neutra de O preenche parcialmente esses estados de defeito, aproximando o nível de Fermi da banda de condução como um dopante tipo n. Além do mais, a clivagem do bulk na direção [100] forma um filme fino que expõe a terminação NaNbO, com excesso de cargas na superfície. Esse excesso provoca a metalização da superfície com polarização de spin, podendo ser modulados pela aplicação de tensão biaxial. A polarização de spin no NaNbO3 aumenta (diminui) com a tração (compressão) ao aumentar (diminuir) a diferença energética entre estados com spin opostos. Finalmente, propomos a inserção de defeitos pontuais no filme fino, que poderiam recuperar o caráter semicondutor ao rearranjar o excesso de cargas da superfície. Inclusive, também propomos a correção do valor de bandgap com GW ou hybrid potentials, melhorando a comparação com os potenciais de quebra da água e permitindo averiguar a melhora da perovskita como um fotocatalisador.