Banca de DEFESA: ENESIO MARINHO DA SILVA JUNIOR

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : ENESIO MARINHO DA SILVA JUNIOR
DATA : 14/10/2020
HORA: 14:00
LOCAL: por participação remota
TÍTULO:

Estudos de primeiros princípios de modificações estratégicas do BiVO 4
para clivagem fotocatalítica da água: Análise de defeitos pontuais, ligas
semicondutoras, e tensionamento epitaxial

PÁGINAS: 108
RESUMO:

No presente trabalho, estudamos por meio de cálculos ab initio baseados na teoria do funcional da densidade como algumas modificações estratégicas do vana- dato de bismuto monoclínico (BiVO 4 ) alteram suas propriedades eletrônicas para aplicação em clivagem fotocatalítica da água. Analisamos a tendência de formação de complexos de defeitos doador-doador em BiVO 4 dopado com Mo. Os resultados mostraram que quandos os pares de defeitos substitucionais de Mo são incorpo- rados em sítios primeiros vizinhos, a hibridização das nuvens eletrônicas entre as impurezas de Mo gera um ganho de entalpia que sobrepujam os efeitos de repul- são eletrostática e deformação local da rede cristalina. Investigamos também as modulações nas propriedades eletrônicas e de transporte das ligas semicondutoras BiV 1–x Mo x O 4 , com o intuito de correlacionarmos estas modulações com a concen- tração ótima de Mo verificada experimentalmente. Os resultados indicaram que em baixas concentrações de Mo nas ligas, a atividade fotocatalítica do material tende a ser melhorada pelo aumento na concentração de elétrons livres. E para maiores frações molares de Mo, a mobilidade dos buracos nas ligas semicondutoras caiu substancialmente pelo aumento no acoplamento elétron-fônon. Com isso, propuse- mos que o surgimento da concentração ótima de Mo em ligas BiV 1–x Mo x O 4 deve-se à modulação na condutividade das ligas semicondutoras. Finalmente, apresentamos um estudo sobre as variações das propriedades eletrônicas do BiVO 4 por engenharia de deformação epitaxial nos planos cristalográficos de baixo índice (001), (010), e (100). Os resultados indicaram que o BiVO 4 sob deformação epitaxial de compres- são nos 3 planos analisados, com  epitaxual≤1 , tende a apresentar melhor eficiência na absorção óptica no visível, melhora na mobilidade dos portadores de carga levando em consideração somente as massas efetivas, e na eficiência na separação dos éxcitons fotogerados. Entretanto, a aplicação de deformação de compressão no BiVO 4 piorou o alinhamento da banda de condução com o potencial de redução do H + , embora estas variações tenham sido sutis. Como resultado, a melhora no desempenho fotocatalítico do BiVO 4 sob deformação epitaxial deve ser mais eficiente para compressões até −1%, devendo haver uma deformação ótima que equilibra asmodulações nas propriedades eletrônicas do BiVO 4 .

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - Interno ao Programa - 1957564 - CEDRIC ROCHA LEAO
Membro Titular - Examinador(a) Interno ao Programa - 1552290 - ANDRE SANTAROSA FERLAUTO
Membro Titular - Examinador(a) Externo ao Programa - 2249395 - THIAGO BRANQUINHO DE QUEIROZ
Membro Titular - Examinador(a) Externo ao Programa - 730.580.685-49 - CAETANO RODRIGUES MIRANDA - USP
Membro Titular - Examinador(a) Externo à Instituição - LÍDIA CARVALHO GOMES - UNESP
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 1671292 - SYDNEY FERREIRA SANTOS
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 1671688 - ANDRE SARTO POLO
Membro Suplente - Examinador(a) Externo ao Programa - 1760410 - JEVERSON TEODORO ARANTES JUNIOR
Membro Suplente - Examinador(a) Externo à Instituição - ALEXANDRE REILY ROCHA - UNESP