Banca de DEFESA: JULIANA GONÇALVES DIAS

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : JULIANA GONÇALVES DIAS
DATA : 11/07/2025
HORA: 09:00
LOCAL: https://meet.google.com/thj-rqdf-krq
TÍTULO:

Síntese de Monocristais da Série R3Co4Ge13 e Caracterização das Propriedades Estruturais, Térmicas, Eletrônicas e Magnéticas (R = Y, Gd-Lu)

PÁGINAS: 110
RESUMO:

Neste trabalho relatamos a estrutura cristalina, calor específico, susceptibilidade magnética,
magnetização e resistividade elétrica de monocristais dos compostos intermetálicos de fase
Remeika R3Co4Ge13 (R = Y, Gd-Lu), crescidos pelo método de auto fluxo. Os dados de
difração de raios X em pó mostram que esta série cristaliza no grupo espacial cúbico Pm3n,
com parâmetros de rede que seguem a contração típica dos lantanídeos ao longo da série.
As medidas de magnetização mostram que os compostos R = Gd-Ho possuem estados
fundamentais antiferromagnéticos, com temperaturas de Néel variando de TN = 8.14 K
(Gd) a 2.3 K (Ho), enquanto Er e Tm são paramagnéticos acima da temperatura mais
baixa medida de 2 K. As temperaturas de ordenamento escalam com o fator de de Gennes,
indicando que o acoplamento entre os momentos locais 4f é mediado por interações do tipo
RKKY indiretas. Essas transições magnéticas são claramente marcadas por características
do tipo lambda no calor específico. Os compostos com Y, Lu e Yb não apresentam
anomalias associadas a transições de fase, o que permitiu identificar modos de vibração
de Einstein de baixa energia presentes em baixas temperaturas. Os compostos de Y e Lu
são diamagnéticos, enquanto o de Yb exibe comportamento de flutuação de valência. As
resistividades elétricas da série apresentam comportamento de ativação térmica, exceto para
R = Yb, que é metálico. A dependência da resistividade elétrica com a temperatura (ρ(T))
foi investigada nos monocristais não magnéticos Y3Co4Ge13 e Lu3Co4Ge13. Contrariamente
aos cálculos de densidade de estados (DOS) na literatura, a ρ(T) medida experimentalmente
em ambos os compostos exibe comportamento semelhante ao de um semicondutor, o que
atribuímos à forte desordem intrínseca. Uma análise detalhada dos dados de resistividade
elétrica revela que nem a lei de ativação térmica de Arrhenius e nem os modelos de salto
de alcance variável (VHR) conseguem descrever sua dependência de temperatura na ampla
faixa de 2 a 350 K. No entanto, um modelo que incorpora condução paralela através
de canais semicondutores e metálicos fornece uma explicação adequada. Além de uma
condução metálica dominante abaixo de ∼ 10 K, um coeficiente de temperatura negativo
da resistividade elétrica (dρ/dT ) é encontrado em ambas as amostras. Na ausência de
impurezas magnéticas, o dρ/dT < 0 observado é interpretado em termos do mecanismo
estrutural de Kondo. Com isso, o conjunto de propriedades físicas é discutido em termos
do tipo de estrutura e das tendências observadas na série.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - Interno ao Programa - 1671599 - MARCOS DE ABREU AVILA
Membro Titular - Examinador(a) Interno ao Programa - 3420345 - CARLOS AUGUSTO MERA ACOSTA
Membro Titular - Examinador(a) Interno ao Programa - 1734908 - FABIO FURLAN FERREIRA
Membro Titular - Examinador(a) Externo à Instituição - MICHAEL CABRERA BAEZ - UFPE
Membro Titular - Examinador(a) Externo à Instituição - VALENTINA MARTELLI - USP
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 3944999 - ROMARLY FERNANDES DA COSTA
Membro Suplente - Examinador(a) Interno ao Programa - 2605463 - JOSE ANTONIO SOUZA
Membro Suplente - Examinador(a) Externo ao Programa - 1545738 - MARCIA TSUYAMA ESCOTE
Membro Suplente - Examinador(a) Externo à Instituição - MILTON ANDRE TUMELERO - UFRGS